Bu kutilmoqda Samsung keyingi haftada 3 nanometrli chiplarni ommaviy ishlab chiqarish boshlanishini e'lon qiladi, deb xabar beradi Yonhap News. Bu kompaniyani joriy yilning ikkinchi yarmida 3nm mikrosxemalar ishlab chiqarishni boshlashi kutilayotgan TSMCdan oldinga olib chiqadi.
5 nanometrli jarayon bilan solishtirganda (u Snapdragon 888 va Exynos 2100 uchun ishlatilgan) Samsungning 3 nanometrli tuguni maydonni 35 foizga qisqartiradi, unumdorligini 30 foizga oshiradi va quvvat sarfini 50 foizga kamaytiradi.
Bunga Gate-All-Around (GAA) tranzistor dizayniga o'tish orqali erishiladi. Bu FinFETdan keyingi qadamdir, chunki u tranzistorlar hajmini oqim o'tkazish qobiliyatini buzmasdan kamaytirishga imkon beradi. 3nm tugunida ishlatiladigan GAAFET dizayni quyidagi rasmda ko'rsatilgan.
AQSh prezidenti Jo Bayden o'tgan oy zavodga tashrif buyurdi Samsung Pyeongtaek shahrida 3nm texnologiyasi namoyishida ishtirok etish uchun Samsung. O'tgan yili kompaniya Texasda 10 nm quyish zavodini qurish uchun 3 milliard dollar sarmoya kiritishi mumkinligi haqida mish-mishlar tarqaldi. Ushbu investitsiyalar hajmi 17 milliard dollarga yetdi.Zavod 2024-yilda ishga tushishi kutilmoqda.
Har qanday holatda, yangi tugunni yaratishda eng katta tashvish - bu chiqish. O'tgan yilning oktyabr oyida Samsung 3nm jarayonining ishlashi "4nm jarayoni bilan bir xil darajaga yaqinlashayotganini" ta'kidladi. Kompaniya rasmiy raqamlarni taqdim qilmagan bo'lsa-da, tahlilchilarning fikricha, 4 nm tugun Samsung ishlab chiqarish muammolari bilan bog'liq edi.
Ikkinchi avlod 3nm tugun 2023 yilda kutilmoqda va kompaniyaning yo'l xaritasi 2 yilda 2025nm MBCFET-ga asoslangan tugunni ham o'z ichiga oladi.
Siz Ukrainaga rus bosqinchilariga qarshi kurashda yordam bera olasiz. Buning eng yaxshi yo'li - Ukraina Qurolli Kuchlariga pul mablag'larini berishdir Savelife yoki rasmiy sahifa orqali NBU.
Shuningdek o'qing:
- Ko‘rib chiqish Samsung Galaxy S21 FE 5G: endi, albatta, fan flagmani
- Ko‘rib chiqish Samsung Galaxy Tab S7 FE: Ajablanarli darajada aqlli kelishuv